Spansion, совместное предприятие AMD и Fujitsu, сообщила о разработке новой архитектуры флэш-памяти, объединяющей в себе преимущества как NAND, так и NOR технологий.
Одновременно с этим, Spansion заявила о готовности начать выпуск пробных экземпляров 1-Гбит чипов NOR флэш-памяти, выпущенных по нормам 90-нм техпроцесса – поскольку на пути миниатюризации флэш-памяти уже давно стоят проблемы в виде туннельного эффекта, это значительный шаг вперед по сравнению с существующими решениями.
Новые продукты построены на основе технологии MirrorBit, позволяющей записывать более одного бита информации в одну ячейку. Архитектура флэш-памяти ORNAND, по замыслу разработчиков, будет содержать узлы обработки, характерные для NOR, и будет предоставлять возможности по хранению памяти, характерные для NAND. Первые продукты, построенные по технологии ORNAND, должны будут появиться в начале 2005 года и прирост в скорости их работы, по предварительным оценкам, составит до четырех крат. К 2007 году Spansion планирует выпустить чипы ORNAND флэш-памяти плотностью до 8 Гбит.
|
