Intel заявила о планах выпуска в 2005 г. чипов, выполненных по 0,065 мкм технологии. Компания уже выпустила 70 Мбит чип памяти, изготовленный по новым нормам. С переходом на 0,065 мкм позволит Intel в очередной раз подтвердить закон Мура. Согласно выводам аналитиков, подготовка к внедрению 0,09 мкм норм вызвало гораздо больше сложностей, чем нынешняя модернизация.
Два первых завода Intel, которые перейдут на 0,065 мкм процесс, расположены в Скотсдейле (Scottsdale, Аризона, США) и в Ирландии. Компания заявила также, что применение в 0,065 мкм процессе технологии «напряженного кремния» (Strained Silicon) второго поколения позволило увеличить производительность транзисторов на 10-15 % без роста токов утечки. Параллельно с этим будет применяться унаследованная от Centrino технология «спящих транзисторов», которая позволит значительно снижать энергопотребление в незадействованных цепях. А после внедрения 0,065 мкм следующей задачей Intel ставит себе освоение норм 0,045 мкм.
|
