В первом квартале 2004 года Samsung начнет массовое производство микросхем флэш-памяти типа NAND рекордной емкости - 1 Гбайт. Выпуск будет осуществляться по технологии 90 нм. Образцы микросхем Samsung уже оцениваются в качестве основы для будущих карт памяти в компании Lexar Media. Самая вместительная из ныне предлагаемых Samsung флэш-микросхем имеет емкость 512 Мбайт.