В начале ноября представители Intel сообщили о планах по переходу к 2007 году на технологию изготовления микросхем в соответствии с нормой проектирования 45 нм. Аналогичное объявление сделала AMD на конференции, проведенной недавно институтом IEEE. Сократить топологический размер элемента в AMD, по словам представителя компании, рассчитывают при помощи методики "полностью обедненного кремния на изоляторе", которая позволит уменьшить накопление электрического заряда в различных участках транзистора.

Затвор 45-нанометрового транзистора планируется изготавливать из силицида никеля вместо ныне применяемого поликремния. Скорость прохождения электронов от атома к атому планируется увеличить за счет метода местной деформации (local strain). И в Intel, и в AMD пытаются разрешить проблему утечки тока - Intel воспользуется неким материалом с высокой диэлектрической проницаемостью, AMD - "более распространенными веществами". Интересно отметить, что AMD впервые рассказывает о своих разработках - до сих пор компания была достаточно скрытной.