Intel продемонстрировала микросхемы статической оперативной памяти (SRAM), изготовленные по технологическому процессу следующего поколения с проектной нормой 65 нанометров. Малый размер ячейки памяти позволяет увеличить объем кэш-памяти процессоров и, следовательно, их производительность. Каждая ячейка памяти SRAM содержит шесть транзисторов, 10 миллионов которых может поместиться на одном квадратном миллиметре.
Переход на новую технологию позволит удвоить количество транзисторов, размещаемых на одном кристалле, по сравнению с традиционными. Новый технологический процесс имеет несколько составляющих: высокопроизводительные и экономичные транзисторы, технологию напряженного кремния второго поколения, высокоскоростные медные соединения и материал с низкой диэлектрической проницаемостью. Применение напряженного кремния позволяет повысить рабочие токи транзисторов и их быстродействие при увеличении себестоимости всего на два процента. Новый процесс также предусматривает использование восьми слоев медных соединений и нового диэлектрического материала, что дает возможность повысить скорость распространения сигналов в кристалле и снизить энергопотребление процессора.
Полупроводниковые компоненты на базе 65-нм технологического процесса были изготовлены на опытном заводе D1D корпорации Intel по обработке 300-миллиметровых подложек в Хиллсборо, штат Орегон, где этот технологический процесс и был разработан. D1D – самый современный завод корпорации, обладающий самой большой среди производств Intel единой "чистой комнатой" площадью более 16 тысяч квадратных метров – примерно три с половиной футбольных поля. Серийное производство микросхем по 0,065-микронной технологии на 300-миллиметровых подложках планируется начать в 2005 году.
