Исследователи компании Intel нашли два новых способа решения проблем уменьшения тепловыделения транзисторов, используемых в процессорах, а также уменьшения их размера. Предполагается, что это позволит продлить действие закона Мура еще минимум на 10 лет.

Для уменьшения проблем с тепловыделением и уменьшения тока утечки корпорация Intel планирует заменить используемый в настоящее время в качестве диэлектрика затвора тонкий слой диоксида кремния более толстым слоем совершенно нового диэлектрика с высоким диэлектрическим коэффициентом "k" (так называемым "high-k" диэлектриком). Это позволит примерно в 100 раз снизить токи утечки.

Вторая часть решения заключается в разработке нового материала (сплава металлов) для затвора транзистора, поскольку новый "high-k" диэлектрик плохо совместим с прежним материалом затвора - поликристаллическим кремнием.

Транзисторы на основе новых материалов рассматриваются в качестве базового варианта для изготовления будущих процессоров Intel в рамках производственного процесса с проектной нормой 45 нанометров. Этот техпроцесс на основе 300-мм подложек, медных соединений, технологии "растянутого кремния", а также нового затвора и диэлектрика затвора будет запущен в массовое производство уже в 2007 году.