Исследователи Университета Иллинойса улучшили свой же предыдущий рекорд, получив в результате разработки транзистор, работающий на частоте 509 ГГц, что на 57 ГГц больше прежнего достижения.

Для достижения столь высокой скорости разработчики совершенствовали технологию изготовления в трех направлениях: уменьшение емкости коллектора за счет увеличения площади перехода эмиттер-коллектор; применение специальных материалов, которые обеспечивают лучшие скоростные характеристики и допускают большую плотность тока, чем традиционные кремниевые и германиевые соединения - в новом транзисторе использованы фосфид индия и арсениды индия и галлия; применение специального узкого металлического моста, который позволяет изолировать базу транзистора от внешних контактов и устранить паразитную емкость коллектора.

Хотя в пресс-релизе в качестве целевых потребителей, кроме радарных и других боевых систем, указаны и видеоигры, думается все же, что новая разработка, прежде всего, к сожалению, будет применена для построения новых видов вооружений, особенно если принимать во внимание тот факт, что исследования проводились за деньги Агенства оборонных исследований.
В качестве своей глобальной задачи исследователи видят создание процессора с частотой 1 ТГц.