Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) расширила ассортимент предлагаемой специализированной DRAM, представив 333 МГц чипы FCRAM II с архитектурой 2M words x 4 banks x 36 bitsx36.
Модели линейки имеют номенклатуру TC59LM836MB-30/-33/-40 (с тактами 3,0/3,3 и 4,0 нс). По словам разработчика, пропускная способность новых 288 Мбит чипов FCRAM II примерно на 66% выше, чем у 200 МГц FCRAM I. TC59LM836MB имеют DDR интерфейс, что позволяет довести пропускную способность до 666 Мбит/с (333 МГц) при времени доступа 20 нс.
Чипы предназначены для использования в сетевых приложениях и серверах, где требуется высокая плотность памяти, малое время доступа и высокая скорость передачи данных. Несмотря на то, что FCRAM I напоминает обычную DDR SDRAM I (в плане корпусировки и назначения контактов), FCRAM II уже ближе к High Speed SRAM (имеет более широкую шину I/O и ECC). Напряжение питания чипов x36 FCRAM II - 2,5 В, I/O - 1,8 В. Среди особенностей решений стоит отметить программируемую CL и длину пакета. Корпусировка чипов - 144-контактный BGA. Начало массового производства чипов запланировано на 4 квартал текущего года.
