Исследователи из IBM сообщают о том, что нашли способ улучшить характеристики PFET-транзисторов, используя технологии эпитаксиального размещения кристаллов кремния с ориентацией главных осей 110 в ключевых узлах транзистора, что позволяет достичь резкого улучшения подвижности электронных дыр - основных носителей заряда. В технологии компании совмещается ориентация кристаллов 100 в NFET с ориентацией 110 в PFET.
Свою технологию IBM назвала технологией гибридной ориентации или HOT (hybrid orientation technology). Утверждается, что подвижность носителей заряда в HOT примерно в 2,5 раза больше, чем в обычных PFET-транзисторов, выполненных на 100-кремнии, что позволяет говорить об улучшении быстродействия на 40-65%. Если сравнить с преимуществами перехода с 130-нм на 90-нм, то здесь быстродействие повышается всего лишь примерно на 20%.
Поскольку в IBM удалось разработать технологии создания микроскопических структур, приподнятых над поверхностью кристалла, в будущем, возможно, на одном чипе будут совмещены NFET, традиционно применяемые в кристаллах 100, и микроостровки PFET с ориентацией 110. К примеру, для 45-нм норм такой микроостровок будет иметь линейные размеры порядка 0,1 на 0,1 мкм.
Аналогично, IBM исследует перспективы нанесения слоев германия и деформированного кремния поверх обедненного слоя полупроводника и диэлектрика. Возможно, что будет использован подход, названный компанией SSDOI (strained silicon directly on insulator): слой деформированного кремния наносится на кремний-германиевую структуру, затем отрезается и крепится на пластину SOI.
