Samsung Electronics объявила о начале массового производства 256 Мбит чипов памяти Graphics Double Data Rate2 (GDDR2) SDRAM. Использование таких чипов позволит упростить выпуск графических карт нового поколения с емкостью видео памяти до 512 Мб.
Чипы GDDR2 SDRAM от Samsung выполнены в соответствии с рекомендациями JEDEC, в стандартных 144-контактных корпусах Fine-pitch Ball Grid Array (FBGA), обладают поддержкой всех технических функциональных возможностей, документированных в спецификациях GDDR2.
Поддержка двунаправленного стробирования с опциональным однонаправленным - Bidirectional, (Single-ended data-strobe is an optional feature). Означает, что контроллер не обязательно должен находится в начале цепи, он может быть расположен в любом месте структуры. Для этого введен режим динамической подстройки полного сопротивления от источника - Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment.
Для регенерации массива используется 2х-сокращенная авто- и саморегенерация (Auto Refresh, CBR, и Self Refresh, Refesh Period 7,8 мс, 8192 цикла регенерации / 64 мс)
В официальном заявлении Samsung указано, что ее 256 Мбит чипы GDDR2 SDRAM также поддерживают стандарт GDDR3, который, как ожидается, будет принят JEDEC в следующем месяце. Поставки новых чипов в адрес производителей графических карт уже начались.
