Seiko Epson объявила о разработке нового ферроэлектрического материала для производства так называемой ферроэлектрической памяти (ferroelectric random-access memory, или FeRAM).
Новый материал, получивший сокращенное название PZTN, получен специалистами Epson путем замещения некоторых атомов титана ниобием в структуре уже известного сегнетокерамического материала для выпуска FeRAM — PZT (Perovskite lead zirconate titanate). Особенность технологии, разработанной в Seiko Epson заключается в возможности увеличения присутствия атомов ниобия примерно в 20 – 30 раз по сравнению с прежними разработками.
О перспективах внедрения FeRAM мы писали в наших новостях уже неоднократно. Достаточно вспомнить, что FeRAM со временем заменит NOR-флэш и статическую (SRAM) память в сотовых телефонах и прочих мобильных устройствах, что стоимость производства FeRAM составляет лишь одну восьмую от себестоимости производства современных CMOS чипов, и то, что скорость выборки данных из FeRAM примерно в 200 выше, а энергопотребление FeRAM на основе PZTN, согласно сообщениям специалистов из Epson, примерно на 90% меньше, чем у современного флэша.
Сейчас в Seiko Epson заняты техническими испытаниями свойств нового материала, о сроках коммерческого внедрения технологии данных пока нет.
