Infineon Technologies, немецкий производитель памяти, сообщила о начале поставок первых образцов 1 Гбит чипов DDR SDRAM ряду основных заказчиков своей продукции. Чипы, как отмечается в пресс-релизе, выполнены с использованием норм 0,11-мкм технологического процесса, площадь чипа - 160 мм, то есть, это, похоже, самые маленькие 1 Гбит чипы DDR SDRAM на сегодняшний день. Корпусировка чипов - 66-контактный TSOP, впрочем, существуют и 68-контактные FBGA-чипы. Новинки имеют архитектуру x4, x8 и x16 и работают на частотах от 133 до 200 МГц (DDR266-DDR400). Для достижения максимальной плотности на модуль Infineon планирует использовать при производстве 4 Гб регистровых модулей FBGA-чипы, выполненные по технологии Dual Die Stack.

1 Гбит чипы DDR SDRAM будут первоначально использоваться в регистровых и небуферизованных модулях для high-end серверов и рабочих станций, основной же целью компании является выпуск регистровых 2 и 4 Гб DIMM, а также небуферизованных 2 Гб DIMM. SO-DIMM для ноутбуков будут предложены 1 и 2 Гб версиями; образцы модулей появятся в 4 квартале 2003 года, начало массового производства запланировано на начало 2004 года.