На International Sematech Immersion Workshop IBM обнародовала детали исследования свойств фоторезистивных покрытий в условиях иммерсионных (проходящих при погружении в воду) технологических процессов. Из отчета следует, в частности, что фотолитографические резисты не меняют своих ключевых для литографии свойств, даже находясь под водой. В лабораториях Almaden Research Center IBM исследовались полупроводниковые пластины, покрытые обычным химически-активным фоторезистом, находившемся в воде в течение минуты. После погружения в воду фоторезисты высушивались и обрабатывались таким же обычным 193-нм сканером. Как утверждают исследователи, степень деградации полученных рисунков в сравнении с «сухими» незначительна.
Ученые были удивлены полученными результатами, так как до этого многие эксперты высказывали опасение, что для иммерсионной литографии придется разрабатывать новые типы фоторезистов. Конечно, фоторезист присоединял воду, но это почти не повлияло на контрастность полученной картины.
Напомним вкратце суть иммерсионной литографии: воздушная прослойка между фокусирующей линзой сканера и подложкой заполняется водой, имеющей другой коэффициент преломления, в результате чего размер светового пятна становится меньше. Перспективы применения иммерсионной литографии исследовали в MIT, показав, что технология может быть использована для обработки полупроводниковых пластин в процессах с нормами вплоть до 32 нм. К сожалению, результат IBM нельзя рассматривать слишком обнадеживающим: компания не имеет возможности проводить полностью иммерсионные процессы, в которых длительность времени, проводимого фоторезистом в воде, существенно больше. IBM ждет поставок иммерсионных сканеров от ASML, Canon и Nikon. Кроме того, для исследовательских целей достаточно утверждать о субъективно «слабом» влиянии воды на свойства фоторезиста, которое впоследствии может оказаться объективно значащим для промышленности.
