О достижениях в разработке нового типа оперативной памяти, использующей эффект намагничивания, сообщили на VLSI Symposia в Киото (Япония) IBM и Infineon Technologies.
Magnetic RAM (MRAM), согласно совместному докладу этих компаний, уже в 2005 г. способна заменить существующие сегодня виды DRAM.
В отличие от применяемой в современных компьютерах оперативной памяти, MRAM позволяет хранить информацию при отсутствии питания, т.е. совмещает в себе также функции флэш-памяти (превосходя последнюю по ряду параметров). Поэтому, компьютеры, основанные на MRAM, могут начинать работу практически моментально после включения питания пропуская фазу загрузки ОС в оперативную память.
Такие возможности обусловили повышенный интерес к MRAM со стороны ведущих чипмейкеров - в настоящее время, помимо упомянутых IBM и Infineon, работы над ней ведут Toshiba, Motorola и NEC.
Представители IBM заявили на симпозиуме, что им удалось создать готовую для внедрения в массовое производство микросхему MRAM емкостью 128 KB, имеющую время доступа порядка нескольких наносекунд и размер ячеек 1,4 мкм.
Компания планирует продемонстрировать продукты на базе таких 0,18-микронных чипов MRAM уже в следующем году.
|
