Toshiba объявила о значительном прогрессе, достигнутом ею в КМОП-технологиях, который сделает возможным создание микросхем для мобильных продуктов следующего поколения, сочетающих высокую производительность с чрезвычайно низким уровнем потребления энергии.
Применив новый диэлектрический материал на основе гафния (HfSiON), названный high dielectric constant (high-k), компания изготовила экспериментальный КМОП-транзистор с длиной затвора 50 нм, в котором утечка тока уменьшена в 1000 раз по сравнению с устройствами, использующими традиционные диэлектрики.
Toshiba планирует начать массовый выпуск систем на чипе (SoC), базирующихся на новом 0,65-микронном КМОП-процессе, в 2005 г.
|
