Корпорация Intel выпустила на рынок новую микросхему
флэш-памяти StrataFlash, предназначенную для применения в сотовых телефонах, персональных ПК (PDA) и других беспроводных устройств.
Быстродействие синхронной
флэш-памяти Intel StrataFlash с напряжением питания 3 В до четырех раз превышает показатели обычных микросхем флэш-памяти как при выполнении программного кода, так и при
операциях записи/считывании данных.
Новая микросхема, выполненная с использованием 0,18-микронной технологии и многоуровневой сотовой технологии (MLC) третьего
поколения, благодаря которой емкость каждой ячейки увеличивается вдвое.
Продукция семейства Intel StrataFlash, впервые выпущенная в 1997 году, представляет собой
высокоэкономичное решение для выполнения программного кода и записи/считывания данных на одной микросхеме. В настоящее время микросхемы этого семейства, достоинства
которых подтвердило время, получили наиболее широкое распространение на рынке продукции с применением технологии MLC.
В микросхемах флэш-памяти Intel StrataFlash
используется потоковый режим обмена данными с частотой 66 МГц, который увеличивает пропускную способность до 92 Мбит/с, что в четыре раза превышает показатели быстродействия
обычной асинхронной флэш-памяти. Для устройств, не поддерживающих режим синхронного потокового обмена данными, предусмотрен постраничный режим из восьми слов, который
более чем вдвое повышает скорость считывания данных.
Микросхемы синхронной флэш-памяти Intel StrataFlash, ядро которых использует напряжением три вольта, выпускается
в двух вариантах подсистемы ввода-вывода с напряжением питания 3 и 1,8 В.
Intel StrataFlash с напряжением 3 вольта будут выпускаться в различных модификациях
емкостью от 64 до 256 Мбит. Производство опытных образцов микросхем на 128 Мбит уже началось, тогда как остальные модификации появятся в апреле 2002 года. Цены при поставках
партиями в 10000 микросхем установлены в диапазоне от $10 за 64-мегабитные микросхемы до $35 за 256-мегабитные.
|
