Hynix Semiconductor сегодня сообщила о начале поставок образцов первых коммерческих устройств ферроэлектрической памяти (FeRAM).
Микросхемы изготовляются с уровнем детализации 0,25 мкм, имеют рабочее напряжение 3 В, обеспечивают скорость доступа 70 нс и свыше 100 млрд. циклов записи-чтения.
В настоящее время доступны продукты емкостью 4 и 8 Мб, но Hynix отмечает, что без дополнительных затрат на разработку может увеличить их вместимость до 64 Мб.
Южнокорейский производитель рассчитывает, что оборот рынка FeRAM - быстродействующей, энергонезависимой, высокоемкой памяти для мобильных приложений (PDA, сотовые телефоны, смарт-карты и пр.) - достигнет в 2006 г. 10 млрд. долл.
|
