Корпорация Intel в г. Хиллсборо, шт. Орегон, 13 августа 2002 г. - представила несколько технологических достижений, реализованных c помощью нового 90-нанометрового (нм) технологического процесса Intel - самого передового процесса производства полупроводниковых микросхем в отрасли. С помощью 90-нм процесса корпорация Intel уже создала полупроводниковые структуры и микросхемы памяти с рекордными параметрами. В следующем году процесс планируется внедрить в массовое производство с использованием 300-миллиметровых пластин.
Новый технологический процесс с проектной нормой 90 нанометров (нанометр - одна миллиардная доля метра) позволяет интегрировать на кристалле микропроцессора более высокопроизводительные транзисторы, использовать так называемый напряженный кремний, медные соединения с высокой пропускной способностью, а также новый диэлектрический материал с низкой диэлектрической проницаемостью. Сегодня впервые все новейшие технологические элементы собраны в едином технологическом процессе.
Кроме того, было представлено и несколько других технологий, использование которых стало возможным благодаря техпроцессу 90 нм: В новом 90-нм технологическом процессе корпорации Intel используются новые транзисторы, имеющие длину затвора всего 50 нм. Это самые маленькие и самые быстродействующие КМОП-транзисторы, используемые сегодня в массовом производстве. Для сравнения: транзисторы, используемые в массовом производстве процессора Intel® Pentium® 4, имеют длину затвора 60 нм. Толщина же оксидного слоя затвора новых транзисторов составляет всего пять атомарных слоев (1,2 нм). Столь тонкий оксидный слой значительно повышает быстродействие транзистора.
Напряженный кремний. Корпорация Intel применила в новом технологическом процессе свой собственный вариант технологии высокоэффективного напряженного кремния. Использование напряженного кремния обеспечивает более свободное протекание тока и позволяет повысить быстродействие транзистора. Новый технологический процесс корпорации Intel является первым процессом в отрасли, в котором применяется напряженный кремний.
Медные соединения с новым диэлектриком с низкой диэлектрической проницаемостью. Новый процесс также предусматривает использование нового диэлектрического материала - легированного углеродом оксида кремния (CDO), позволяющего повысить скорость распространения сигналов в кристалле и снизить энергопотребление процессора. Для формирования нового диэлектрика используется простой и легко реализуемый в производстве двухступенчатый процесс.
|
