Philips Electronics объявила о "крупном прорыве" в деле производства металло-оксидных полупроводников с поверхностной диффузией (laterally diffused metal oxide semiconductor - LDMOS). На практике это означает упрощение и удешевление базовых станций для сотовых сетей третьего
поколения (3G-сетей) с одновременным увеличением надежности оборудования.

Новые высокочастотные транзисторы на основе LDMOS-полупроводников 4-го поколения обеспечивают больший коэффициент усиления и, следовательно, построенные на их основе устройства имеют меньшее количество усилительных
каскадов, что благоприятно сказывается на цене конечного изделия. В первую очередь, новинку должны оценить производители оборудования для сотовых сетей стандарта W-CDMA и GSM.

Разработчики транзисторов надеются, что LDMOS-полупроводниковые устройства ускорят переход к 3G-сетям, внедрение которых в жизнь идет в настоящее время с большими "пробуксовками". Технологические образцы поступят в распоряжение производителей оборудования для сотовой связи уже в конце нынешнего года, а в течение первого квартала 2004 года Philips обещает освоить их массовое производство.